background image
NTE5575, NTE5577, NTE5579
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
125 Amp
Electrical Characteristics:
Repetitive Peak Forward Blocking Voltage, V
DRM
NTE5575
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5577
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5579
1200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Voltage, V
RRM
NTE5575
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5577
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5579
1200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Non–Repetitive Transient Peak Reverse Voltage, V
RSM
NTE5575
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5577
700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5579
1300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum RMS On–State Current, I
T(RMS)
125A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Average On–State Current (+180
°
Conduction, T
C
= +80
°
C), I
T(AV)
70A
. . . . . . . . . . . . . .
Maximum Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current, I
TSM
50Hz
1400A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
60Hz
1500A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum I
2
t for Fusing (1.5ms), I
2
t
7000A
2
sec
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak On–State Voltage (T
C
= +25
°
C, +180
°
C Conduction, Rated I
T(AV)
), V
TM
2V
. . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Thermal Resistance, DC, Junction to Case, R
Θ
JC
0.3
°
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Turn–Off Time (T
J
= +125
°
C), t
q
100
µ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate–of–Rise of Turned–On Current, di/dt
200A/
µ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
–40
°
to +125
°
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Critical Rate–of–Rise of Off–State Voltage, dv/dt
(Exponential @ T
J
= +125
°
C)
200V/
µ
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Required Gate Trigger Current, I
GT
T
J
= –40
°
C
200mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
J
= –25
°
C
125mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Required Gate TriggerVoltage (T
J
= +25
°
C), V
GT
200mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Forward Voltage Drop (I
TM
= 500A, T
J
= +25
°
C). V
F
1.8V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
background image
Cathode
Gate
Anode
1/2–20 UNF
(Terminal 3)
.280 (7.11)
1.031 (26.18) Dia Max
.500 (12.7) Max
.650 (16.51) Max
1.227 (31.18) Dia
(Across Corners)
.260 (6.6) Dia Max
.415 (10.55)
1.810
(45.97)
Max
.812
(20.6)