background image
SFH 217
SFH 217 F
Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit
Silizium-PIN-Fotodiode mit Tageslichtsperrfilter
Silicon PIN Photodiode with Very Short Switching Time
Silicon PIN Photodiode with Daylight Filter
Wesentliche Merkmale
q
Speziell geeignet für Anwendungen im
Bereich von 400 nm bis 1100 nm (SFH 217)
und bei 880 nm (SFH 217 F)
q
Kurze Schaltzeit (typ. 5 ns)
q
5 mm-Plastikbauform im LED-Gehäuse
Anwendungen
q
Industrieelektronik
q
“Messen/Steuern/Regeln”
q
Schnelle Lichtschranken für Gleich- und
Wechsellichtbetrieb
q
LWL
Features
q
Especially suitable for applications from
400 nm to 1100 nm (SFH 217) and of
880 nm (SFH 217 F)
q
Short switching time (typ. 5 ns)
q
5 mm LED plastic package
Applications
q
Industrial electronics
q
For control and drive circuits
q
Light reflecting switches for steady and
varying intensity
q
Fiber optic transmission systems
Typ (*ab 4/95)
Type (*as of 4/95)
Bestellnummer
Ordering Code
Gehäuse
Package
SFH 217
(*SFH 203 P)
Q62702-P946
plan, klares bzw. schwarzes Epoxy-Gie
β
harz, Löt-
spie
β
e im 2.54-mm-Raster (
1
/
10
)
Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspie
β,
flach
am Gehäusebund
plane, transparent and black epoxy resin, solder tab
2.54 mm (
1
/
10
) lead spacing, cathode marking: short
solder tab, flat at package
SFH 217 F
(*SFH 203 PFA)
Q62702-P947
SFH 217
SFH 217 F
Ma
β
e in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
background image
SFH 217
SFH 217 F
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
T
op
;
T
stg
–55 ... +100
o
C
Löttemperatur (Lötstelle 2 mm vom
Gehäuse entfernt bei Lötzeit
t
≤
3s)
Soldering temperature in 2 mm distance
from case bottom (
t
≤
3s)
T
S
300
o
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
50
V
Verlustleistung
Total power dissipation
P
tot
100
mW
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 217
SFH 217 F
Fotoempfindlichkeit
Spectral sensitivity
V
R
= 5 V, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
V
R
= 5 V
,
λ
= 950 nm
, E
e
= 0.5 mW/cm
2
S
S
9.5 (
≥
5)
–
–
3.1 (
≥
1.8)
nA/Ix
µ
A
Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit
Wavelength of max. sensitivity
λ
S max
850
900
nm
Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit
S
= 10% von
S
max
Spectral range of sensitivity
S
= 10% of
S
max
λ
400 ... 1100 750 ... 1100 nm
Bestrahlungsempfindliche Fläche
Radiant sensitive area
A
1
1
mm
2
Abmessung der bestrahlungsempfindlichen
Fläche
Dimensions of radiant sensitive area
L
x
B
L
x
W
1 x 1
1 x 1
mm
Abstand Chipoberfläche zu Gehäuseober-
fläche
Distance chip front to case surface
H
0.4 ... 0.7
0.4 ... 0.7
mm
background image
SFH 217
SFH 217 F
Halbwinkel
Half angle
ϕ
±
75
±
75
Grad
deg.
Dunkelstrom,
V
R
= 20 V
Dark current
I
R
1 (
≤
10)
1 (
≤
10)
nA
Spektrale Fotoempfindlichkeit,
λ
= 850 nm
Spectral sensitivity
S
λ
0.62
0.59
A/W
Quantenausbeute,
λ
= 850 nm
Quantum yield
η
0.89
0.86
Electrons
Photon
Leerlaufspannung
Open-circuit voltage
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
V
L
V
L
350 (
≥
300)
–
–
300 (
≥
250)
mV
mV
Kurzschlu
β
strom
Short-circuit current
E
v
= 1000 Ix, Normlicht/standard light A,
T
= 2856 K
E
e
= 0.5 mW/cm
2
,
λ
= 950 nm
I
K
I
K
9.3
–
–
3.0
µ
A
µ
A
Anstiegs und Abfallzeit des Fotostromes
Rise and fall time of the photocurrent
R
L
= 50
Ω;
V
R
= 20 V;
λ
= 850 nm;
I
p
= 800
µ
A
t
r
,
t
f
5
5
ns
Durchla
β
spannung,
I
F
= 80 mA,
E
= 0
Forward voltage
V
F
1.3
1.3
V
Kapazität,
V
R
= 0 V,
f
= 1 MHz,
E
= 0
Capacitance
C
0
11
11
pF
Temperaturkoeffizient von
V
L
Temperature coefficient of
V
L
TC
V
–2.6
–2.6
mV/K
Temperaturkoeffizient von
I
K,
Temperature coefficient of
I
K
Normlicht/standard light A,
λ
= 950 nm
TC
I
0.18
–
–
0.2
%/K
Rauschäquivalente Strahlungsleistung
Noise equivalent power
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
NEP
2.9 x 10
–14
2.9 x 10
–14
W
√
Hz
Nachweisgrenze,
V
R
= 20 V,
λ
= 850 nm
Detection limit
D*
3.5 x 10
12
3.5 x 10
12
cm ·
√
Hz
W
Kennwerte
(T
A
= 25
o
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
SFH 217
SFH 217 F
background image
SFH 217
SFH 217 F
Relative spectral sensitivity SFH 217
S
rel
=
f
(
λ
)
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
e
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage SFH 217 F
V
L
=
f
(
E
e
)
Relative spectral sensitivity SFH 217 F
S
rel
=
f
(
λ
)
Total power dissipation
P
tot
=
f
(
T
A
)
Photocurrent
I
P
=
f
(
E
v
),
V
R
= 5 V
Open-circuit-voltage SFH 217
V
L
=
f
(
E
v
)
Dark current
I
R
=
f
(
V
R
),
E
= 0
Capacitance
C
=
f
(
V
R
),
f
= 1 MHz,
E
= 0
Directional characteristics
S
rel
=
f
(
ϕ
)